AlGaInN laser diode technology and systems for defence and security applications
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Proceedings of SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
946604-946604-12
Numer tomu
9466
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Defense and security
Indium gallium aluminum nitride
Security technologies
Semiconductor lasers
Telecommunications
Lasers
Quantum wells
Displays
Indium
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Conference on Laser Technology for Defense and Security XI
Początek konferencji
2015-04-21
Koniec konferencji
2015-04-22
Lokalizacja konferencji
Baltimore
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The latest developments in AlGaInN laser diode technology are reviewed for defence and security applications such as underwater communications. The AlGaInN material system allows for laser diodes to be fabricated over a very wide range of wavelengths from u.v., ~380nm, to the visible ~530nm, by tuning the indium content of the laser GaInN quantum well. Thus AlGaInN laser diode technology is a key enabler for the development of new disruptive system level applications in displays, telecom, defence and other industries.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:760905
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych