AlGaInN laser diode technology and systems for defence and security applications
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Proceedings of SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
96490P
Numer tomu
9649
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Defense and security
Indium gallium aluminum nitride
Security technologies
Semiconductor lasers
Lasers
Free space
Gallium nitride
Indium
Diodes
Displays
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Conference on Electro-Optical Remote Sensing, Photonic Technologies, and Applications IX
Początek konferencji
2015-09-21
Koniec konferencji
2015-09-22
Lokalizacja konferencji
Toulouse
Kraj konferencji
FR
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
AlGaInN laser diodes is an emerging technology for defence and security applications such as underwater communications and sensing, atomic clocks and quantum information. The AlGaInN material system allows for laser diodes to be fabricated over a very wide range of wavelengths from u.v., ~380nm, to the visible ~530nm, by tuning the indium content of the laser GaInN quantum well. Thus AlGaInN laser diode technology is a key enabler for the development of new disruptive system level applications in displays, telecom, defence and other industries. Ridge waveguide laser diodes are fabricated to achieve single mode operation with optical powers up to 100mW with the 400-440nm wavelength range with high reliability. Visible free-space and underwater communication at frequencies up to 2.5GHz is reported using a directly modulated 422nm GaN laser diode. Low defectivity and highly uniform GaN substrates allow arrays and bars to be fabricated. High power operation operation of AlGaInN laser bars with up to 20 emitters have been demonstrated at optical powers up to 4W in a CS package with common contact configuration. An alternative package configuration for AlGaInN laser arrays allows for each individual laser to be individually addressable allowing complex free-space or optical fibre system integration with a very small form-factor.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:760906
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych