AlGaInN laser diode technology for free-space telecom applications
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Proceedings of SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
93540Q-93540Q-11
Numer tomu
9354
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Free space
Indium gallium aluminum nitride
Semiconductor lasers
Telecommunications
Defense and security
Lasers
Quantum wells
Free space optical communications
Indium
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Conference on Free-Space Laser Communication and Atmospheric Propagation XXVII
Początek konferencji
2015-02-08
Koniec konferencji
2015-02-09
Lokalizacja konferencji
San Francisco
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The AlGaInN material system allows for laser diodes to be fabricated over a very wide range of wavelengths from u.v., ~380nm, to the visible ~530nm, by tuning the indium content of the laser GaInN quantum well. We consider the suitability of AlGaInN laser diode technology for free space laser communication, both airborne links and underwater telecom applications, mainly for defense and oil and gas industries.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:761172
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych