Optimization of InGaN laser diodes based on numerical simulations
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
ACTA PHYSICA POLONICA A
ISSN
0587-4246
EISSN
1898-794X
Wydawca
Institute of Physics Polish Academy of Sciences
DOI
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
1-A
Strony od-do
A-33-A-35
Numer tomu
129
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,3
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Inna
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
angielski
Treść
Simulations of blue and green laser diodes with InGaN quantum wells are presented. In this study, a particular emphasis on efficiency and optical power of the structures was placed. Effect of the aluminum content in an electron blocking layer on the electron overflow and efficiency is discussed. Substantial decrease of efficiency of laser diodes is reported for low aluminum levels. It is also shown that polarization charges existing in AlInGaN heterostructures grown on GaN polar direction and low ionization degree of magnesium acceptors lead to high resistance of these devices. These effects hinder the carriers from reaching an active region and consequently they impose high operating voltages.
Inne
System-identifier
PX-58b429efd5deeb14a5fdbee6
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych