An ab initio study of the "direct-indirect band gap" transition in AlxIn1-xP alloys
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy (Uniwersytet Humanistyczno-Przyrodniczy im. Jana Długosza w Częstochowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SOLID STATE COMMUNICATIONS
ISSN
0038-1098
EISSN
Wydawca
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
55-60
Numer tomu
205
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 2
Słowa kluczowe
en
ELECTRONIC-STRUCTURE; APPROXIMATION; 1ST-PRINCIPLES; SEMICONDUCTORS; PRESSURE; CRYSTAL; STATE; INP; NI; CU
Streszczenia
Język
en
Treść
The composition-induced "direct-indirect" band gap transition in the AlxIn1-xP alloys was studied theoretically. Two different approaches - virtual crystal approximation and supercell-based calculations, both in the general gradient and local density approximations - were used to model the influence of the chemical composition on the structural and electronic properties of the AlxIn1-xP system in the whole range of Al concentration x from 0 to 1. The band gap crossover from the direct to indirect band gap was shown to take place at x=0.406, in excellent agreement with the experimental result x=0.408 of Beaton et al. It was also demonstrated that the supercell-based calculations are better suited to describe variation of the composition-driven structural properties, whereas the virtual crystal approximation is better to be employed for the analysis of the electronic properties of the title system. (C) 2015 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Cechy publikacji
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:768160
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych