Correlation between Crystallographic Alignment of Self-induced GaN Nanowires and Features of Si(111) Nitridation
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties
ISSN
2304-1862
EISSN
2306-580X
Wydawca
Sumy State University (Sumy, Ukraine)
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
4
Strony od-do
04NAESP21-1-4
Numer tomu
2
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,23
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 4
Inne
System-identifier
PX-57f62217c2dce2c4fc837a0a