Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
pl
Czasopismo
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
ISSN
0033-2089
EISSN
2449-9528
Wydawca
SIGMA NOT
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
9
Strony od-do
14-18
Numer tomu
LVII
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pl
Epitaksja z wiązek molekularnych, MBE, Kwantowe lasery kaskadowe, QCL, InGaAs, InAlAs
Streszczenia
Język
pl
Treść
Prezentowana praca zawiera opis opracowania i optymalizacji technologii wzrostu heterostruktur kwantowych laserów kaskadowych emitujących promieniowanie z zakresu 9÷10 μm wykonanych w oparciu o układ materiałowy In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As oraz z zakresu 4÷5,5 μm bazujących na naprężonym skompensowanym obszarze aktywnym z In0.36Al0.64As/In0.68Ga0.32As. Do wzrostu heterostruktur półprzewodnikowych wykorzystano technikę epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Dzięki tej metodzie wytworzono pełne struktury przyrządowe jak również obszary aktywne, przeznaczone do wzrostu falowodów z InP metodą epitaksji z fazy gazowej ze związków metalo-organicznych MOVPE. Przeprowadzono charakteryzację heterostruktur oraz przeprowadzono dyskusję stabilność i powtarzalność wykonanych procesów epitaksjalnych. Pomiary charakterystyk elektrooptycznych kwantowych laserów kaskadowych wykazały pracę impulsową w temperaturach powyżej 300K, co umożliwia zastosowanie ich w układach do detekcji śladowej ilości substancji gazowych.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-582314b4c2dc1c132e2e6dd8
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych