Detektory supersieciowe InAs/GaSb - wybrane aspekty technologii wytwarzania
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
pl
Czasopismo
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
ISSN
0033-2089
EISSN
2449-9528
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
9
Strony od-do
3-9
Numer tomu
LVII
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 2
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
pl
: detektory podczerwieni, supersieci InAs/GaSb, epitaksja z wiązek molekularnych, wysokorozdzielcza dyfraktometria rentgenowska, spektroskopia ramanowska
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Streszczenia
Język
pl
Treść
Specyficzne własności supersieci II rodzaju (T2SL) z InAs/GaSb mogą spowodować w przyszłości dominację tego materiału w produkcji detektorów podczerwieni. Istotnym argumentem stosowania detektorów na bazie supersieci stanowi fakt, że ze względu na zagrożenie dla środowiska w najbliższych latach przewiduje się stopniową eliminację rtęci (Hg) i kadmu (Cd) z technologii półprzewodnikowych. Ciągła poprawa jakości podłóż i materiału supersieci, konstrukcji detektorów oraz technik "processingu" połączona z poznaniem fundamentalnych procesów fizycznych pozwalaja obecnie na wytwarzanie przyrządów dyskretnych i matryc pracujących w obszarze widmowym średniej, dalekiej i bardzo dalekiej podczerwieni. W pracy przedstawiono aktualny stan wiedzy na temat detektorów T2SL oraz przedyskutowano przyczyny degradacji ich parametrów.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-586a4f2382ce01768f6bc8ba
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych