Eight-Band k.p Calculations of the Electronic States in InAs/GaSb Superlattices
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Książka
Tytuł książki
2016 18th International Conference on Transparent Optical Networks
Data publikacji
2016
ISBN
978-1-5090-1467-5
Wydawca
IEEE
Publikacja
Główny język publikacji
en
Tytuł rozdziału
Eight-Band k.p Calculations of the Electronic States in InAs/GaSb Superlattices
Rok publikacji
2016
Strony (od-do)
1-4
Numer rozdziału
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,4
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
(liczba autorów: 2)
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
en
InAs/GaSb; superlattices; absorption edge; k.p method; type-II heterostructures
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
18th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON)
Początek konferencji
2016-07-10
Koniec konferencji
2016-07-14
Lokalizacja konferencji
Trydent
Kraj konferencji
IT
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
In this paper, we present the absorption edge of (InAs)(6ML)/(GaSb)(n) superlattices, which has been determined with the use of the 8-band k.p method. The aim of the work was to develop a numerical tool, which gives the possibility to design InAs/GaSb superlattices for infrared detector structures. Most of works, which were published in this field till now, present the results of electronic states calculations performed with the use of the Empirical Pseudopotential Method (EPM) or Envelope Function Approximation (EFA) method. In this work we report on the results of simulations performed with the use of the 8-band k.p method, in which we have considered strain in a superlattice structure and the effects of heavy and light holes interaction at the interfaces in a superlattice. Calculations have been performed for the structures with asymmetric interfaces (i.e., InSb and GaAs ones). Superlattices grown on GaSb substrates were considered and a temperature of 0K was assumed. Results of simulations are in a good agreement with the results of PL spectra and absorbance measurements, which are presented in the literature. They are also in a good agreement with the results of simulations performed with the use of EPM and EFA methods.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-587ca93c82ceef5a4867a350
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych