Nanostructures applied to bit-cell devices
PBN-AR
Instytucja
Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Książka
Tytuł książki
Electron Technology Conference 2013. Ryn, Poland, 16–20 April, 2013
Data publikacji
2013
ISBN
9780819495211
Wydawca
SPIE
Publikacja
Główny język publikacji
EN
Tytuł rozdziału
Nanostructures applied to bit-cell devices
Rok publikacji
2013
Strony (od-do)
89020X-1--89020X-7
Numer rozdziału
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 2
Słowa kluczowe
EN
flash memory
MOSFETs
split-gate
SONOS
nano-crystal
charge trap
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Electron Technology Conference 2013
Początek konferencji
2013-04-16
Koniec konferencji
2013-04-20
Lokalizacja konferencji
Ryn
Kraj konferencji
PL
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
EN
Treść
In this work split-gate charge trap FLASH memory with a storage layer containing 3D nano-crystals is proposed and compared with existing sub-90 nm solutions. We estimate electrical properties, cell operations and reliability issues. Analytical predictions show that for nano-crystals with the diameter <3 nm metals could be the preferred material. The presented 3D layers were fabricated in a CMOS compatible process. We also show what kinds of nano-crystal geometries and distributions could be achieved. The study shows that the proposed memory cells have very good program/erase/read characteristics approaching those of SONOS cells but better retention time than standard discrete charge storage cells. Also dense nano-crystal structure should allow 2-bits of information to be stored.
Cechy publikacji
chapter-in-a-book
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:075958
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych