$V_{2}O_{5}$ thin films for gas sensor applications
PBN-AR
Instytucja
Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL
ISSN
0925-4005
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE SA
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
970--977
Numer tomu
236
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.57
Autorzy
Słowa kluczowe
EN
thin films
gas sensors
impedance spectroscopy
vanadium pentoxide
Streszczenia
Język
EN
Treść
V2O5 thin films were deposited onto fused silica, alumina and conductometric sensor supports by means of rf reactive sputtering from a metallic vanadium target. Film thickness was varied between 200 and 600 nm. Argon-oxygen gas mixtures of different compositions controlled by the flow rate were used for sputtering. Temperature of the film substrate was kept constant at 560 K. Structural properties and phase composition of as-sputtered thin films were studied by X-ray diffraction at glancing incidence, GIXD, and Raman scattering while Scanning Electronic Microscopy (SEM) was used to investigate film morphology. Electrical properties were determined by means of impedance spectroscopy (0.1–1 MHz) over the temperatures range extending from RT to 620 K. Thin films of V2O5 exhibited good response towards hydrogen (5–300 ppm), methane and propane (50–3000 ppm).
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:099966
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych