Methods of nano-crystallization of thin silicon films
PBN-AR
Instytucja
Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Książka
Tytuł książki
PVSC 42 [Dokument elektroniczny]. 42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference : 14–19 June 2015, New Orleans, USA
Data publikacji
2015
ISBN
978-1-4799-7944-8
Wydawca
IEEE
Publikacja
Główny język publikacji
EN
Tytuł rozdziału
Methods of nano-crystallization of thin silicon films
Rok publikacji
2015
Strony (od-do)
7356309-1--7356309-4
Numer rozdziału
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.28
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
EN
TEM
silicon
deposition
nano-crystalline materials
photovoltaic cells
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
PVSC 42
Nazwa konferencji
2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference
Początek konferencji
2015-06-14
Koniec konferencji
2015-06-19
Lokalizacja konferencji
New Orleans
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
EN
Treść
In the paper the authors are analyzing differences in the nature of crystallization between: the nano-crystallization during deposition in multilayer RF PECVD process, in which hydrogen concentration and other parameters were changing over time, and crystallization of the same samples during temperature annealing in the range 200???1000??C. Observed behavior differs from columnar crystallization of ??c-Si:H films deposited in homogeneous process. The analysis is carried out with respect on application of the films to solar structures.
Cechy publikacji
chapter-in-a-book
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:095134
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych