Low temperature manufacturing of Si nanocrystallites in the $SiO_{x}$ matrix applicable in solar cells
PBN-AR
Instytucja
Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Książka
Tytuł książki
PVSC 39 [Dokument elektroniczny]. 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference : Tampa, Florida, June 16–21, 2013
Data publikacji
2013
ISBN
978-1-4799-3299-3
Wydawca
IEEE
Publikacja
Główny język publikacji
EN
Tytuł rozdziału
Low temperature manufacturing of Si nanocrystallites in the $SiO_{x}$ matrix applicable in solar cells
Rok publikacji
2013
Strony (od-do)
580--585
Numer rozdziału
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.45
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 2
Słowa kluczowe
EN
amorphous and microcrystalline silicon
nc-Si
silicon nanocrystals
plasma deposition
RF PECVD
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
PVSC
Nazwa konferencji
39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Początek konferencji
2013-06-16
Koniec konferencji
2013-06-21
Lokalizacja konferencji
Tampa
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
INSPEC
Streszczenia
Język
EN
Treść
Progress in fabrication and application of the nanocrystalline silicon thin films in opto-electronic devices like solar cells, thin film transistors, memory cells, etc., is a way to further enhance their parameters. Those films exhibit increased stability, absorption, carrier mobility. They also exhibit scattering and anti-/reflection properties. This paper is focused on the technology of manufacturing such films by means of Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (RF PECVD). The authors describe the manufacturing process based on periodical variation of the process parameters, such as hydrogen to silane ratio (R-h), gas flows, RF power and pressure in the process chamber, during the deposition process. Additionally, the influence of chamber pre-annealing on resulting type of matrix with nanocrystalline inclusions, a-Si:H or SiOx, and differences between them are discussed. The authors also present the Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) analyses and the measurements of typical samples with High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM), which confirms the existence of the nanocrystallites in the a-Si:H or SiOx matrix.
Cechy publikacji
chapter-in-a-book
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:080137
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych