Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V1–xTixFeSb Semiconductor
PBN-AR
Instytucja
Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych im. Włodzimierza Trzebiatowskiego Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
SEMICONDUCTORS
ISSN
1063-7826
EISSN
1090-6479
Wydawca
MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
7
Strony od-do
860–868
Numer tomu
50
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Pozostali autorzy
+ 6
Inne
System-identifier
PX-58a44864d5de57cc7bd6f95a
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych