Growth and coalescence control of inclined c-axis polar and semipolar GaN multilayer structures grown on Si(111), Si(112), and Si(115) by metalorganic vapor phase epitaxy
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
ISSN
0734-2101
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
nr 5, art. 051504
Strony od-do
1-8
Numer tomu
vol. 35
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
azotek galu
GaN na Si
fotoluminescencja
kontrola polarności
alternatywne orientacje Si
Inne
System-identifier
000204678
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych