Epitaksja LP-MOVPE wysokorezystywnych warstw InP kompesowanych żelazem do zastosowania w kwantowych laserach kaskadowych
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
pol
Czasopismo
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
ISSN
0033-2089
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
nr 9
Strony od-do
19-22
Numer tomu
R. 57
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
InP:Fe
MOVPE
kwantowe lasery kaskadowe
półprzewodniki wysokorezystywne
Inne
System-identifier
000206478
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych