Origin of surface defects and influence of an in situ deposited SiN nanomask on the properties of strained AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(111) using metal-organic vapour phase epitaxy
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
CRYSTENGCOMM
ISSN
EISSN
1466-8033
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
nr 45
Strony od-do
8747-8755
Numer tomu
vol. 18
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
pol
azotek galu
AlGaN/GaN na Si
micro-Raman
fotoluminescencja
TEM
SEM
AFM
HRTEM
XRD
Inne
System-identifier
000206844
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych