Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
MATERIALS SCIENCE-POLAND
ISSN
2083-134X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
nr 4
Strony od-do
726-734
Numer tomu
vol. 34
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
GaNAs
głębokie poziomy defektów
DLTS
MOVPE
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Creative Commons — Uznanie autorstwa-Niekomercyjne-Bez utworów zależnych
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Inne
System-identifier
000207957