Trapping of oxide ions in δ-Bi3YO6
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Politechnika Warszawska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Solid State Ionics
ISSN
0167-2738
EISSN
Wydawca
Elsevier BV - North-Holland
DOI
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
49-53
Numer tomu
264
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 2
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
en
Bismuth; Calculations; Positive ions; Solid electrolytes, Ab initio molecular dynamics; Arrhenius type temperature dependence; Bismuth oxides; DFT calculation; Fluorite structure; Molecular dynamics simulations; Site occupancy; Temperature independents, Molecular dynamics
Streszczenia
Język
en
Treść
A series of ab initio molecular dynamics (MD) simulations have been performed on the oxide ion conducting solid electrolyte δ-Bi 3YO6. The effect of different cationic neighbours on the residence time and occupancy of oxide ion sites was investigated. It was found that sites where neighbouring cations were exclusively bismuth exhibited the lowest residence time and lowest average site occupancy, with these parameters increasing with an increasing number of yttrium cation neighbours. Residence time exhibited Arrhenius type temperature dependence, while the average site occupancies were almost temperature independent. The results are discussed in terms of oxide ion trapping by the dopant cation. © 2014 Elsevier B.V.
Inne
System-identifier
WUT34cbdc928a374450b87fc14c0c106814
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych