Numerical design of Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy process for gallium nitride epitaxial growth
PBN-AR
Instytucja
Wydział Inżynierii Materiałowej (Politechnika Warszawska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Crystal Research and Technology
ISSN
1521-4079
EISSN
Wydawca
John Wiley and Sons Inc
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
12
Strony od-do
762-770
Numer tomu
51
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 2
Słowa kluczowe
pl
Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych, azotek galu, metoda objętości skończonych
en
metal organic vapor phase epitaxy, gallium nitride, finite volume method
Streszczenia
Język
en
Treść
The paper presents the results of numerical simulations and experimental measurements of the epitaxial growth of gallium nitride in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy within a AIX-200/4RF-S reactor. The aim was to develop optimal process conditions for obtaining the most homogeneous crystal layer. Since there are many factors influencing the chemical reactions on the crystal growth area such as: temperature, pressure, gas composition or reactor geometry, it is difficult to design an optimal process. In this study various process pressures and hydrogen volumetric flow rates have been considered. Due to the fact that it is not economically viable to test every combination of possible process conditions experimentally, detailed 3D modeling has been used to get an overview of the influence of process parameters. Numerical simulations increased the understanding of the epitaxial process by calculating the heat and mass transfer distribution during the growth of gallium nitride. Appropriate chemical reactions were included in the numerical model which allowed for the calculation of the growth rate of the substrate. The results obtained have been applied to optimize homogeneity of GaN film thickness and its growth rate.
Inne
System-identifier
WUT54abd8da163344588c0b57c0909faca6
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych