Excitonic complexes in natural InAs/GaAs quantum dots
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PHYSICAL REVIEW B
ISSN
1098-0121
EISSN
1550-235X
Wydawca
AMER PHYSICAL SOC
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
085303
Numer tomu
91
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
The quantum confinement in a typical quantum dot (QD) is determined primarily by the nanosystem's dimensions and average composition. We demonstrate, however, that excitonic properties of natural QDs formed in the InAs/GaAs wetting layer are governed predominantly by effects of random fluctuations of the lattice composition. It is shown that the biexciton binding energy is a very sensitive function of the lattice randomness with a nearly flat dependence on the exciton energy. The large variation in different random realizations of a QD structure is shown to lead in some cases to the reversal of the order of excitonic lines. Results of theoretical calculations correspond to statistical properties of neutral excitons and biexcitons as well as trions confined to single natural QDs studied in our microspectroscopic measurements. We observe substantial variation of the biexciton and trion binding energies as well as a correlation of the trion and the biexciton energies. The transition from the negative to the positive binding energy of the trion is also observed, which strongly supports the attribution of the observed trion to the positively charged exciton.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:534259
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych