Positronics of radiation-induced effects in chalcogenide glassy semiconductors
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki (Uniwersytet Opolski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Semiconductors+
ISSN
1063-7826
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
3
Strony od-do
298-304
Numer tomu
49
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.84
Autorzy
(liczba autorów: 5)
Pozostali autorzy
+ 4
Inne
System-identifier
UOaa33f53272e84be782d2357e3a993149
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych