Phase diagram and critical behavior of the random ferromagnet Ga_(1-x)Mn_xN
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PHYSICAL REVIEW B
ISSN
1098-0121
EISSN
1550-235X
Wydawca
AMER PHYSICAL SOC
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
081201
Strony od-do
1-4
Numer tomu
88
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
DILUTE MAGNETIC SEMICONDUCTORS
TOPOLOGICAL INSULATOR
TEMPERATURES
TRANSITION
SYSTEMS
ALLOYS
ORDER
Streszczenia
Język
en
Treść
Molecular beam epitaxy has been employed to obtain Ga1-xMnxN films with x up to 10% and Curie temperatures T-C up to 13 K. The magnitudes of T-C and their dependence on x, T-C(x) proportional to x(m), where m = 2.2 +/- 0.2, are quantitatively described by a tight-binding model of superexchange interactions and Monte Carlo simulations of T-C. The critical behavior of this dilute magnetic insulator shows strong deviations from the magnetically clean case (x = 1), in particular, (i) an apparent breakdown of the Harris criterion, (ii) a nonmonotonic crossover in the values of the susceptibility critical exponent gamma(eff) between the high temperature and critical regimes, and (iii) a smearing of the critical region, which can be explained either by the Griffiths effects or by macroscopic inhomogeneities in the spin distribution with a variance Delta x = (0.2 +/- 0.1)%.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:493421
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych