The field–dependent interface recombination velocity for organic–inorganic heterojunction
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej (Politechnika Gdańska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
ENG
Czasopismo
CHEMICAL PHYSICS LETTERS
ISSN
0009-2614
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
13-15
Numer tomu
663
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 1)
Słowa kluczowe
HYBRID STRUCTURES
ORGANIC ELECTRONICS
RECOMBINATION
Streszczenia
Język
Treść
We have derived an analytical formula which describes the field–dependent interface recombination velocity for the boundary of two materials characterized by different permittivities. The interface recombination of charge carriers has been considered in the presence of image force Schottky barrier. We suggest that this effect may play an important role in the loss of current for organic–inorganic hybrid heterojunctions. It has been proved that the presented method is a generalization of the Scott–Malliaras model of surface recombination at the organic/metal interface. We also discuss that this model is intuitively similar but not analogous to the Langevin mechanism of bulk recombination.
Inne
System-identifier
137641
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych