Ab Initio Studies of Early Stages of AlN and GaN Growth on 4H-SiC
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
AIP CONFERENCE PROCEEDINGS
ISSN
0094-243X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
55-56
Numer tomu
1566
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
ICPS 2012
Nazwa konferencji
31st International Conference on the Physics of Semiconductors
Początek konferencji
2012-07-29
Koniec konferencji
2012-08-03
Lokalizacja konferencji
Zurich
Kraj konferencji
CH
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Cechy publikacji
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:499590
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych