Dynamics of Stacking Faults Luminescence in GaN/Si Nanowires
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF LUMINESCENCE
ISSN
0022-2313
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
293-297
Numer tomu
155
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
GaN/Si nanowires
Time-resolved luminescence
2D excitons
Exciton cooling
HOMOEPITAXIAL GAN
REFLECTANCE
EXCITONS
Streszczenia
Język
en
Treść
Evidences are shown that excitons at stacking faults (SFs) in GaN nanowires (NWs) behave like 2-dimentional particles in quantum wells. The SFs were studied in samples of coalescent GaN nanowires grown on silicon substrate. They emit strong luminescence at room temperature what promises possible applications of SF for light emitting devices. At 4K, the NWs exhibit sharp near-bandgap luminescence with the strongest signal from donor-bound excitons (DX) at 3.471 eV and from stacking faults (SF) at 3.42 eV. Observations of the SF dynamics show spectral diffusion of energy in time (shift up to Delta E-d=8 meV) and S-shaped energy-temperature dependence. Both these features are often reported as characteristic for quantum wells.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:493465
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych