HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart Cut™
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
1873-5002
Wydawca
Elsevier B.V.
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
73-79
Numer tomu
456
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
1
Słowa kluczowe
angielski
Characterization
Impurities
X-ray diffraction
Vapor phase epitaxy
Nitrides
Streszczenia
Język
angielski
Treść
The quest for low cost GaN substrates with optimized crystalline and electrical properties continues to fuel the search for a fast growth method to produce commercial wafers that will allow the fabrication of devices capable of achieving high performance at high power and/or high frequency. Thick films grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on Ammono substrates in addition to reproducing the high crystalline quality of those substrates show significant reduction in free carrier concentration. This work presents a detailed spectroscopic, X-ray diffraction, and Raman spectroscopy imaging investigation of thick freestanding HVPE GaN films deposited on HVPE/Ammono-GaN templates. The results demonstrate that they are stress-free, and have a nearly uniform and relatively lower residual background doping, in addition to high crystalline quality. This result is extremely important, because it demonstrates the usefulness of this new type of HVPE-GaN substrate to fabricate highly efficient optoelectronic and electronic devices.
Inne
System-identifier
PX-58c93268d5de1b42fc7fba51
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych