Reactive magnetron sputtered hafnium oxide layers for nonvolatile semiconductor memory devices
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (Politechnika Warszawska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
ISSN
1071-1023
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
1 (01A113)
Strony od-do
1-5
Numer tomu
33
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 1
Streszczenia
Język
en
Treść
The feasibility of the application of double-gate dielectric stacks with fabricated by r.f. reactive magnetron sputtering hafnium oxide (HfOx) layers in Non-Volatile Semiconductor Memory (NVSM) devices was investigated. Significant retention time was demonstrated. A very broad memory window (extrapolated at 10 years) of flat-band voltage (UFB) value of the order of 2.6 V was obtained. Moreover, the stability of the electrical characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) structures after gamma and electron irradiation have been observed, which proved that investigated double-gate dielectric stacks are promising for future applications in NVSM radiation-hard devices.
Inne
System-identifier
WUTf56b040a87da4cec9d624a7832a3c7fe
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych