Advances in AlGaInN laser diode technology for defence and sensing applications
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
98340K
Numer tomu
9834
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Słowa kluczowe
angielski
Defense and security
Indium gallium aluminum nitride
Semiconductor lasers
Telecommunications
Cesium fountain clocks
LIDAR
Lasers
Quantum information
Quantum wells
Security technologies
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Conference on Laser Technology for Defense and Security XII
Początek konferencji
2016-04-19
Koniec konferencji
2016-04-20
Lokalizacja konferencji
Baltimore
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
angielski
Treść
Laser diodes fabricated from the AlGaInN material system is an emerging technology for defence and security applications. The AlGaInN material system allows for laser diodes to be fabricated over a very wide range of wavelengths from u.v., ~380nm, to the visible ~530nm, by tuning the indium content of the laser GaInN quantum well, giving rise to new and novel applications including displays and imaging systems, atomic clock and quantum information, free-space and underwater telecom and lidar. © (2016) COPYRIGHT Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE). Downloading of the abstract is permitted for personal use only.
Inne
System-identifier
PX-58d52959d5dee8a5c51a50ed
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych