Advances in AlGaInN laser diode technology for defence applications
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
873302
Numer tomu
8733
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Słowa kluczowe
angielski
Defense and security
Indium gallium aluminum nitride
Semiconductor lasers
Lasers
Quantum wells
Reliability
Diodes
Gallium nitride
Indium
Telecommunications
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Conference on Laser Technology for Defense and Security IX
Początek konferencji
2013-04-30
Koniec konferencji
2013-05-01
Lokalizacja konferencji
Baltimore
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
angielski
Treść
The latest developments in AlGaInN laser diode technology are reviewed. The AlGaInN material system allows for laser diodes to be fabricated over a very wide range of wavelengths from u.v. to the visible, i.e., 380-530nm, by tuning the indium content of the laser GaInN quantum well. Of specific interest for defence applications is blue-green laser diode technology for underwater telecommunications and sensing applications. Ridge waveguide laser diode structures are fabricated to achieve single mode operation with optical powers of <100mW in the 400-420nm wavelength range with high reliability. Low defectivity and highly uniform GaN-substrates allow arrays and bars of nitride lasers to be fabricated. In addition, high power operation of AlGaInN laser diodes is demonstrated with the operation of a single chip, ‘mini-array’ consisting of a 3 stripe common p-contact at powers up to 2.5W cw in the 408-412 nm wavelength range and a 16 stripe common p-contact laser array at powers over 4W cw.
Inne
System-identifier
PX-58e389ead5de865ec1642dd1
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych