Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
EISSN
1077-3118
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
26
Strony od-do
261107
Numer tomu
103
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Słowa kluczowe
angielski
Laser diodes
Cladding
Quantum wells
Charge injection
III-V semiconductors
Streszczenia
Język
angielski
Treść
We demonstrate graded-index-separate-confinement-heterostructure InGaN laser diodes (GRINSCH) grown by metal organic vapor phase epitaxy. In this type of structure, the optical mode is confined close to the active region by cladding layers with linearly changing Al content. The virtue of this structure lies in simultaneous improvement of injection efficiency through the funneling effect and mode confinement. After a careful modeling we demonstrate that GRINSCH InGaN laser indeed possess very encouraging properties. Low threshold current density of around 3.5 kA/cm2 accompanied by high differential gain (dG/dJ = 14.93 cm kA−1) make these devices an interesting alternative for the classical step-index structure.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:444856
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych