Double-pulse characterization of GaN-on-Sapphire FETs for technology development
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (Politechnika Warszawska)
Książka
Tytuł książki
Proc. 21st International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications
Data publikacji
2016
ISBN
9781509022151
Wydawca
IEEE
Publikacja
Główny język publikacji
en
Tytuł rozdziału
Double-pulse characterization of GaN-on-Sapphire FETs for technology development
Rok publikacji
2016
Strony (od-do)
1-4
Numer rozdziału
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 6
Słowa kluczowe
en
Field effect transistors
Gallium nitride
Tech- nology evaluation
Pulse measuremen
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
MIKON 2016
Nazwa konferencji
21st International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications
Początek konferencji
2016-05-09
Koniec konferencji
2016-05-11
Lokalizacja konferencji
Kraków
Kraj konferencji
PL
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
A recently published double-pulse technique, usefulfor the isodynamic pulsed IV characterization of GaN FETsat a fixed charge trapping state, is here applied to the firstprototypes of 0.5�m GaN-on-Sapphire FETs manufactured bythe Polish Institute of Electronics Materials Technology. Themeasurements presented in this work depict a practical methodfor characterizing trap-related lag effects in GaN FETs, andare intended both for modeling as well as for assisting furthertechnology developments.
Inne
System-identifier
WUTdeffe8b5a0724eaea9808f63d1dbdf5e
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych