CMOS- compatible fabrication method of graphene-based micro devices
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Molekularnej Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING (30pkt w roku publikacji)
ISSN
1369-8001
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCI LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
Strony od-do
92-97
Numer tomu
67
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 9)
Pozostali autorzy
+ 8
Słowa kluczowe
en
Graphene
Devices fabrications
Optical lithography
Magnetic field sensor
Streszczenia
Język
en
Treść
In this paper we present the CMOS-compatible procedure for graphene-based planar electronic devices (i.e. magnetic field sensor) fabrication in the hundreds of micrometer scale by using of: combined photolithography, Ar+ ion sputtering and DC magnetron metal evaporation processes. In our approach, the conductive channels based on the single graphene layer on the SiC substrate have been fabricated by Ar+ ion sputtering, instead of reactive - ion etching techniques. The proposed solution prevents against semiconductor surface oxidation and therefore is much more compatible with the standard CMOS technology. The processed graphene channels and devices demonstrate similar properties as fabricated by means of the early used procedures. That underline usefulness of the presented approach in many fields of applications, i.e.: the devices which contain graphene channels on standard reactive, semiconductor surfaces.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
826627
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych