Arrangement of GaN nanowires on Si(001) substrates studied by X-ray diffraction: Importance of silicon nitride interlayer
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Applied Surface Science (35pkt w roku publikacji)
ISSN
0169-4332
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
Strony od-do
1014-1019
Numer tomu
425
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
angielski
GaN nanowires
GaN on Si
X-ray diffraction
Streszczenia
Język
ang
Treść
X-ray diffraction measurements with the use of both laboratory and synchrotron X-ray sources and transmission electron microscopy have been applied to study two types of GaN nanowires grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on Si (001) substrates. Detailed structural analysis of the first type of nanowires reveals wurtzite type of GaN grown with the c-axis perpendicular to the substrate surface and with good in-plane correlation with the substrate. A thin silicon nitride film is found between these nanowires and Si (001). Second group contains GaN nanowires of a novel type that are aligned perpendicular to the Si (111) planes, so are inclined to the Si (001) substrate surface. They grow without any interlayer in a direct contact with the substrate, first as rooflet-like zb-GaN islands and then transform to more stable wurtzite phase by the growth of pure hexagonal wz-GaN nanowires. Our findings show a crucial role of silicon nitride interlayer for growth mode and crystallographic alignment of GaN nanowires on silicon substrate.
Język
Treść
Inne
System-identifier
PX-59ae6a84d5de12b062e8179c
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych