Strain relaxation induced surface morphology of heterogeneous GaInNAs layers grown on GaAs substrate
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Journal of Crystal Growth (30pkt w roku publikacji)
ISSN
0022-0248
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
Strony od-do
108-112
Numer tomu
vol. 470
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
półprzewodniki
GaInNAs
naprężenia
defekty liniowe
struktura powierzchni
AFM
TEM
MOVPE
Inne
System-identifier
000209216
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych