Cross-sectional scanning capacitance microscopy characterization of GaAs based solar cell structures
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Crystal Research and Technology (20pkt w roku publikacji)
ISSN
0232-1300
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
nr 6, art. 1700019
Strony od-do
1-5
Numer tomu
vol. 52
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
skaningowa mikroskopia pojemnościowa
tandemowe ogniwo słoneczne
złącze tunelowe
GaAs
GaAsN
Inne
System-identifier
000209758
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych