Comparative ab initio studies on morphology and stability of the C/BN and SiC/GaN heterostructure interfaces
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Materials Research Express (20pkt w roku publikacji)
ISSN
2053-1591
EISSN
Wydawca
IOP Science
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
045902
Strony od-do
1-8
Numer tomu
4
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Cechy publikacji
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:815778
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych