Poprawa własności emisyjnych półprzewodnikowych laserów dyskowych poprzez szybkie wygrzewanie (RTA)
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Książka
Tytuł książki
XVI Krajowa Konferencja Elektroniki. Materiały Konferencji
Data publikacji
2017
ISBN
Wydawca
Politechnika Koszalińśka
Publikacja
Główny język publikacji
polski
Tytuł rozdziału
Poprawa własności emisyjnych półprzewodnikowych laserów dyskowych poprzez szybkie wygrzewanie (RTA)
Rok publikacji
2017
Strony (od-do)
325-327
Numer rozdziału
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,2
Hasło encyklopedyczne
Słowa kluczowe
polski
laser półprzewodnikowy
półprzewodnikowy laser dyskowy
VECSEL
pompowanie optyczne
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
nie
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
XVI Krajowa Konferencja Elektroniki
Początek konferencji
2017-06-05
Koniec konferencji
2017-06-09
Lokalizacja konferencji
Darłówko Wschodnie
Kraj konferencji
PL
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
polski
Treść
Zaprezentowano wyniki szybkiego wygrzewania (RTA) struktur laserów dyskowych lnGaAs/GaAs/GaAsP. Struktury poddano wygrzewaniu w tempeaturach 600, 650 i700oC przez 10, 20 i 40 s. Pomiary luminescencji wykonane przed i po procesie wygrzewania pokazały niemal dwukrotny wzrost intensywności emisji z obszaru aktywnego struktury poddanej wygrzewaniu przez 40 s w temperaturze 700oC. Przełożyło się to również na wzrost mocy laserowania finalnego przyrządu. Efekt ten przypisujemy poprawie jakości krystalicznej materiału epitaksjalnego, a co za tym idzie, polepszeniu własności emisyjnych struktury.
Cechy publikacji
CONFERENCE_PAPER
Inne
System-identifier
PX-5a02b2d9d5de02037cc3cd6b