1/f noise modeling of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared detectors
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS (25pkt w roku publikacji)
ISSN
0306-8919
EISSN
1572-817X
Wydawca
SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
1
Strony od-do
36
Numer tomu
50
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 2
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
angielski
InAs/GaSb superlattice
Dark current modeling
1/f Noise modeling
Streszczenia
Język
angielski
Treść
The empirical 1/f noise model for p(+)-p-n infrared detector made of type-II InAs/GaSb superlattice material is presented. It is shown that 1/f noise magnitude can be accurately estimated if dark current contributions are determined and noise coefficients are known. It is found that the shunt, the bulk generation-recombination, and the trap-assisted tunneling currents contribute to the total 1/f noise. No 1/f noise connected with the diffusion and the band-to-band tunneling currents is observed.
Cechy publikacji
ORIGINAL_PAPER
Inne
System-identifier
PX-5a8e8e13d5dee0db7bca473d
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych