Infrared Reflection Spectra of Pb1–xSn x Se (x = 0.2, 0.34) Topological Insulator Films on a ZnTe/GaAs Substrate and the Vibrational Modes of Multilayer Structures
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
SEMICONDUCTORS (15pkt w roku publikacji)
ISSN
1063-7826
EISSN
1090-6479
Wydawca
MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
1
Strony od-do
34-40
Numer tomu
52
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 6
Open access
Tryb otwartego dostępu
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
angielski
Treść
The reflectance spectra of the topological insulator Pb1–xSn x Se (x = 0.2, 0.34) films grown by molecular-beam epitaxy on a ZnTe/GaAs substrate are measured in the range of 12–2500 cm–1 at room temperature. Using dispersion analysis, the frequencies of transverse optical phonons, plasma frequencies, highfrequency permittivities, and layer thicknesses are determined. In the quasi-steady-state approximation, the interface mode frequencies of the four-layer structure are calculated as a function of the overlap parameter χ1 (0 ≤ χ1 ≤ 1). The parameter describes the degree of overlap of two interface modes localized at planes bounding the layer to the right and left. The existence of interacting interface modes in the structure makes its spectrum different from the sum of component spectra. These differences manifest themselves in the experiment. The conditions of the interaction of interface modes with IR radiation are discussed.
Język
Treść
Inne
System-identifier
PX-5aa64892d5deb0184bfd728e
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych