Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
pol
Czasopismo
Przegląd Elektrotechniczny (14pkt w roku publikacji)
ISSN
0033-2097
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
nr 8
Strony od-do
58-60
Numer tomu
R. 93
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
SCM
skaningowa mikroskopia pojemnościowa
AlGaN/GaN/Si
azotek galu
C-V
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Creative Commons — Uznanie autorstwa-Niekomercyjne-Bez utworów zależnych
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Inne
System-identifier
000209834
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych