Proximity effect in gate fabrication using photolithography technique
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Advances in Electrical and Electronic Engineering
ISSN
1336-1376
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
nr 2
Strony od-do
358-364
Numer tomu
vol. 15
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Słowa kluczowe
pol
tranzystory AlGaN/GaN
fotolitografia linii h
efekt „bliskości”
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Creative Commons — Uznanie autorstwa
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Inne
System-identifier
000211029
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych