Structural and emission properties of Tb3+-doped nitrogen-rich silicon oxynitride films
PBN-AR
Instytucja
Wydział Podstawowych Problemów Techniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Nanotechnology (35pkt w roku publikacji)
ISSN
0957-4484
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
nr 11, art. 115710
Strony od-do
1-14
Numer tomu
vol. 28
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 9)
Pozostali autorzy
+ 7
Słowa kluczowe
pol
terb
krzem
warstwy cienkie
Inne
System-identifier
000212147