Diamond-Phase (Sp3-C) Rich Boron-Doped Carbon Nanowalls (Sp2-C): A Physico-Chemical And Electrochemical Properties
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki (Politechnika Gdańska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Physical Chemistry C (35pkt w roku publikacji)
ISSN
1932-7447
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
38
Strony od-do
20821-20833
Numer tomu
121
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 6
Słowa kluczowe
ELECTROCHEMICAL
NANOWALL
Streszczenia
Język
Treść
The growth of B-CNW with different boron doping levels controlled by the [B]/[C] ratio in plasma, and the influence of boron on the obtained material’s structure, surface morphology, electrical properties and electrochemical parameters, such as -ΔE and k°, were investigated. The fabricated boron-doped carbon nanowalls exhibit activity towards ferricyanide redox couple, reaching the peak separation value of only 85 mV. The flatband potential and the concentration of boron carriers were estimated in the B-CNW samples using the Mott-Schottky relationship. It was shown that the vertically oriented carbon planes are characterized by p-type conductivity and very high hole-acceptor concentration (3.33×1023 cm-3 for a highly doped sample), which provides high electrical conductivity. The enhanced electrochemical performance of B-CNWs electrodes is an advantageous feature that can be applied in ultrasensitive detection or energy storage devices.
Inne
System-identifier
142023
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych