Charge-based deep level transient spectroscopy of B-doped and undoped polycrystalline diamond films
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki (Politechnika Gdańska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE (30pkt w roku publikacji)
ISSN
0022-2461
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
17
Strony od-do
10119-10126
Numer tomu
52
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Pozostali autorzy
+ 6
Słowa kluczowe
DIAMOND
Streszczenia
Język
Treść
The undoped and B-doped polycrystalline diamond thin film was synthesized by hot filament chemical vapor deposition and microwave plasma, respectively. The structural characterization was performed by scanning electron microscopy, X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The electrical properties of synthesized diamond layer were characterized by dc-conductivity method and charge deep level transient spectroscopy. The B-doped diamond layers show higher sp2 /sp3 ratios in comparison with that of undoped layers what can have an essential influence on the localized density of states associated with shallow hydrogen acceptor states what is reflected in the values of activation energies which reached the values of 38 meV for B-doped and 55 meV for undoped diamond layers, respectively. The existence of deep level traps, as, for example, associated with B-related acceptors, was not observed.
Inne
System-identifier
142455
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych