Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej (Politechnika Gdańska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
ACTA PHYSICA POLONICA A (15pkt w roku publikacji)
ISSN
0587-4246
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
2
Strony od-do
397-400
Numer tomu
132
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Słowa kluczowe
EXCITONS
ORGANIC ELECTRONICS
PHOTOVOLTAIC
Streszczenia
Język
Treść
The role of the annihilation of excitons on charge carriers has been theoretically investigated in organic semiconductors. We have developed the numerical drift-diffusion model by incorporation terms which describe the annihilation process. The transient photocurrent has been calculated for different injection barrier heights, exciton mobilities, and annihilation rate constants. We have demonstrated that the annihilation has a great influence on the range and the rising time of the photocurrent.
Inne
System-identifier
142566
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych