Aluminum-free nitride laser diodes: waveguiding, electrical and degradation properties
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Optics Express (45pkt w roku publikacji)
ISSN
1094-4087
EISSN
Wydawca
OPTICAL SOC AMER
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
26
Strony od-do
33113-33121
Numer tomu
25
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,9
Słowa kluczowe
angielski
Diode lasers
Quantum-well, -wire and -dot devices
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Inna
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
angielski
Treść
An aluminum-free nitride laser diode (LD) operating at a wavelength of λ = 452 nm with a threshold current density of jth = 4.2 kA/cm2 grown by plasma assisted molecular beam epitaxy is demonstrated. Aluminum is successfully eliminated from the cladding layers and the electron blocking layer. The lifetime of the devices with and without aluminum are studied. It is found that aluminum, which is highly susceptible to oxidation, has no influence on the degradation mechanism of nitride optoelectronic devices. Furthermore, comprehensive theoretical calculations are presented to show the impact of removal of aluminum from the structure on LD properties.
Inne
System-identifier
PX-5a8fda26d5de59a89e26e578
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych