Growth and Characterization of Bulk HVPE-GaN - Pathway to Highly Conductive and Semi-Insulating GaN Substrates
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
ECS Transactions
ISSN
1938-6737
EISSN
Wydawca
The Electrochemical Society
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
10
Strony od-do
991-1003
Numer tomu
80
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
nie
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
232nd ECS Meeting
Nazwa konferencji
232nd Electrochemical Society Meeting
Początek konferencji
2017-10-01
Koniec konferencji
2017-10-05
Lokalizacja konferencji
National Harbor, MD (greater Washington, DC area)
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
angielski
Treść
Gallium nitride crystal growth by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method is described. Results of crystallization of unintentionally doped GaN are briefly presented and discussed. Doping with donors, silicon or germanium, is proposed and then examined in order to obtain highly conductive HVPE-GaN. Iron, manganese, and carbon were chosen for changing electrical properties of GaN to semi-insulating. Results of crystallization processes are presented. Structural, optical, and electrical properties of the obtained crystals are shown and discussed in detail.
Inne
System-identifier
PX-5a940497d5de7465a8057480
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych