Application of Ion Implantation for Intermediate Energy Levels Formation in the Silicon-Based Structures Dedicated for Photovoltaic Purposes
PBN-AR
Instytucja
Wydział Nauk Ekonomicznych i Technicznych (Państwowa Szkoła Wyższa im. Papieża Jana Pawła II w Białej Podlaskiej)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Acta Physica Polonica A (15pkt w roku publikacji)
ISSN
0587-4246
EISSN
1898-794X
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
2
Strony od-do
p. 274--277
Numer tomu
132
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 4)
Pozostali autorzy
+ 3
Słowa kluczowe
en
intermediate energy
silicon-based structures
photovoltaic purposes
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Inna
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
pl
Treść
The main aim of the research was to verify if it is possible to create the intermediate energy levels in silicon by means of ion implantation as well as to confirm whether the intermediate band could arise. The tests covered recording of conductance and capacitance of antimony-doped silicon, implanted with Ne+ ions. As a result, it was possible to identify a single deep level in the sample and determine its location in the band gap by estimating the value of activation energy.
Cechy publikacji
original-article
Inne
System-identifier
0000034722
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych