Spectroscopic characterization and photoactivity of SiOx-based films electrochemically grown on Cu surfaces
PBN-AR
Instytucja
Wydział Chemii (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF APPLIED ELECTROCHEMISTRY (25pkt w roku publikacji)
ISSN
0021-891X
EISSN
1572-8838
Wydawca
SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
Strony od-do
917-930
Numer tomu
47
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
1.30
Streszczenia
Język
en
Treść
Electrodeposited SiOx electrodes were shown to be photoactive and exhibit n- and p-type effects for electrodes placed in aqueous and organic solutions, respectively. As seen by Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy and X-ray photoelectron (XPS) spectroscopy, the mechanism of the electrodeposition included reactions with the used electrolyte as well as with traces of water as sources of oxygen and hydrogen. The lowest band gap energy (Eg) of the films of approximately 1.6 eV was observed for the film electrodeposited at -2.5 V in comparison to 1.9 eV for the films obtained at -2.25 and -2.75 V. The depth profiles of Si and O in the films were registered by XPS, secondary ion mass spectrometry (SIMS), and glow discharge optical emission spectroscopy (GD-OES), which showed that Si and O were relatively uniformly distributed across the entire layer of the film. The n-type photoactivity was associated with the evolution of oxygen from the aqueous solution, and the p-type was attributed to the reductive deterioration of the amorphous SiOx deposit and simultaneous photodecomposition of the electrolyte.
Cechy publikacji
discipline:Chemia
discipline:Chemistry
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:854021
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych